AI가 불러온 메모리 업계의 투자 경쟁이 불붙고 있다. 특히, 메모리 업계의 양강 삼성전자와 SK하이닉스의 경우 미국 현지 투자를 늘리거나 회사채를 발행해 투자 비용을 마련하는 등 시장을 선점하기 위한 양사의 행보가 계속되고 있다. 

지난 9일 기업데이터연구소 CEO스코어에 따르면 매출액 기준 국내 500대 기업 중 R＆D 비용을 공시한 224곳을 조사한 결과, 조사 대상 기업 중 R＆D 투자액 기준 1위는 삼성전자였다. 

삼성전자의 지난해 R＆D 투자액은 28조 3528억원으로, 전년 대비 3조 4236억원(13.7%) 증가했다. 삼성전자는 실적감소에도 불구하고 R&D 투자를 줄이지 않았다. 지난해 매출이 14.3% 감소했지만, 조사 대상 기업 중 유일하게 20조원 이상을 R＆D에 투자했다. 

하이닉스의 경우 삼성전자, LG전자(4조 2834억원)의 뒤를 이은 R＆D 투자액 순위 3위(4조 1884억원)였다. 

삼성전자는 당초 미국 텍사스주 공장 투자하기로 했던 투자금을 170억달러에서 440억달러로 확대하는 것을 알려졌다. 이는 파운드리 업계 1위 대만의 TSMC가 미국 현지에 투자하는 총액보다 큰 규모로, 이같은 삼성전자의 결정은 미국 정부의 반도체 보조금 발표를 앞두고 보조금을 더 끌어내고 향후 미국 내 고객사 선점에 유리한 고지를 차지하기 위한 행보로 풀이된다. 

한편, 삼성전자보다 앞서 보조금 발표가 난 TSMC의 경우 미국 정부로부터 애리조나 신공장에서 66억달러(약 8조 9천억원) 보조금과 50억 달러(약 6조 8000억원) 규모의 정부 저리 대출까지 포함해 총 115억 달러(약 15조 7000억원) 규모의 자금을 지원받기로 했다.  

SK하이닉스의 경우 지난 8일 공시한 투자설명서에 따르면 오는 12일과 다음 달 9일에 만기가 돌아오는 회사채 총 7500억원 상환을 위한 회사채를 발행했다. 

1년만에 회사채 시장을 찾은 하이닉스는 당초 3800억원 규모의 회사채 수요를 예측했으나 흥행에 성공해 7500억원으로 증액했다. 조달하는 자금은 재무건정성 개선에 쓰인다는 것이 하이닉스의 설명이다.  

하이닉스는 고금리 국면에서도 대규모 회사채 발행을 이어가고 있다. 

이자율이 상대적으로 낮던 2~3년전 발행한 회사채에 비해 새로 발행한 회사채의 이자율은 기존 회사채와 비교했을 때 배가 넘는다. 하이닉스가 2019년과 2021년에 발행한 회사채의 이자율 금액가중평균으로 따졌을 때 연1.634%이지만 이번에 신규 발행한 회사채의 경우 연 3.695%이다.

그럼에도 메모리업계의 투자경쟁이 더 치열해짐에 따라 당분간 하이닉스가 이를 감당하기 위해 더 많은 채무를 감당할 것이라는 전망이 제기된다.  

여기에 하이닉스는 최근 38억 7천만달러(약 5조 2천억원)를 투자해 미국 인디애나주에 HBM(고대역폭메모리) 후공정 공장을 신규 건설한다고 발표했다. 

하이닉스는 투자설명서에서 핵심 위험 요소로 ‘대규모 자본지출(Capex) 투자’와 ‘대규모 연구개발비 지출’을 꼽으면서 자본지출 증가분을 최소화하겠다고 했지만 시황 변화 및 투자 계획 집행에 따라 자본지출 규모가 재차 증가할 수 있다고 설명했다. 집행할 투자로는 용인·청주 공장과 미국 인디애나주 공장 건설, EUV 장비 매입 등을 제시했다.