SK하이닉스 최우진 부사장 “AI시대에 발맞춰 고객맞춤형 ‘시그니처 메모리’ 개발할 것”
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SK하이닉스 최우진 부사장 “AI시대에 발맞춰 고객맞춤형 ‘시그니처 메모리’ 개발할 것”
  • 조아라 기자
  • 승인 2024.04.11 14:09
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[사진=SK하이닉스]
[사진=SK하이닉스]

최우진 SK하이닉스 P&T 담당 부사장이 반도체 후공정의 기술 우위를 강화해 메모리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다고 언급했다. 반도체 후공정은 팹에서 전공정을 마친 웨이퍼를 제품형태로 패키징하고 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트하는 과정으로 최근 AI메모리가 급부상하며 그 성능을 결정짓는 주요 요인 중 하나로 지목된다.

11일 최 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸을 통한 인터뷰에서 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하겠다는 이같은 의지를 밝혔다.

최 부사장은 지난 30년간 메모리 반도체 패키징 연구 개발에 매진하며, 최근 HBM으로 대표되는 AI 메모리의 핵심 기술로 부상한 이 분야를 이끌어 가고 있다. 지난 연말 P&T(Package & Test) 조직의 수장으로 부임했다.

최 부사장이 수장으로 있는 P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직으로, 팹(Fab)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징(Packaging)하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트(Test)하는 역할을 한다.

그 중에서도 패키징은 칩을 전기적으로 연결하고 외부 충격으로부터 보호하는 기존 역할을 넘어, 차별화된 제품 성능을 구현하는 주요 기술로 떠오르고 있다. 최근 AI메모리라고 불리는 HBM에도 TSV*, MR-MUF* 등 첨단 패키징 기술이 핵심 기술로 적용되고 있다.

(*TSV:수직관통전극. D램에 미세 구멍을 뚫어 칩들을 수직관통전극으로 연결하는 기술)

*(MR-MUF: 매스 리플로우(MR)는 적층된 칩 사이의 범프를 녹여 칩끼리 연결하는 기술. 몰디드 언더필(MUF)은 적층된 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술.)

최 부사장은 “3차 세계 대전에 비유될 정도로 글로벌 반도체 패권 경쟁이 치열하게 전개되고 있다”면서 ““P&T 기술 혁신은 반도체 패권 경쟁을 가르는 핵심 요소로, 고성능 칩 수요가 폭증하는 AI 시대에 우리는 첨단 패키징 기술로 최고 성능의 메모리를 개발하는 데 기여할 것”이라고 전망했다.

최 부사장은 인터뷰에서 AI 메모리를 혁신하기 위해 ‘시그니처 메모리(Signature Memory)’ 개발을 주요 전략으로 제시했다.

“AI 시대에 발맞춰 SK하이닉스는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 ‘시그니처 메모리’에 집중하고 있다”언급했다.

이어, “이를 구현하기 위해 HBM 성능의 키 역할을 하는 TSV, MR-MUF 등 기술을 고도화하면서, 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛*, 하이브리드 본딩* 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술 개발에 주력하고 있다”라고 설명했다.

(*칩렛:칩을 기능별로 쪼갠 후 각각의 칩 조각(Chiplet)을 하나의 기판 위에서 연결해 반도체의 이종간 결합 및 집적을 돕는 기술)

(*하이브리드 본딩:더 높은 대역폭과 고용량을 구현하기 위해 칩과 칩 사이를 범프 없이 직접 연결하는 기술. 이를 통해 데이터 통로가 짧아지고, 같은 공간 안에 더 많은 칩을 쌓을 수 있다.)

조아라 기자  lycaon@greened.kr

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