삼성전자가 세계 최초로 '3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리' 양산을 본격 시작했다. 

이번에 양산에 들어간 3비트 V낸드는 삼성전자가 올해 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품이다. 

현재 업계에서 유일하게 삼성전자가 양산하고 있는 V낸드 공정에 3비트 기술을 접목한 3비트 V낸드 양산에 들어감으로써 삼성전자는 플래시 메모리 시장에서의 압도적인 우위를 다시 한번 확인했다.

양산에 들어간 3비트 V낸드는 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정은 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배 확대했다는 점이 특징이다. 

삼성전자는 작년 8월 '1세대(24단)', 올해 5월 '2세대(32단)' V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춤으로써 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌며 독보적인 경쟁력을 강화해 나가고 있다. 

지난 2012년 최초로 3비트 평면구조 낸드 기반의 SSD를 양산해 3비트 플래시메모리 시장을 선점한 삼성전자는 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장을 더욱 확대시켜 나간다는 전략이다. 

메모리사업부 전략마케팅팀 한재수 전무는 "3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것"이라며 "향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의 고성장세를 더욱 가속화 할 것"이라고 강조했다. 

삼성전자는 3비트 V낸드의 본격 양산으로 기존의 고신뢰성 서버향 SSD에서 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 나감으로써 V낸드 글로벌 시장을 확대해 나갈 계획이다.

3비트 기술(3bit Multi Level Cell)은 : 낸드플래시의 셀(Cell) 하나에 저장되는 데이터(bit) 수를 기존 1∼2개에서 3개로 늘린 것.이고  3차원 CTF(3D Charge Trap Flash) 구조란 : 셀(Cell) 안에 전하를 저장하는 공간인 '플로팅게이트'를 부도체로 대체하고 구조를 3차원으로 개량해 수직 적층을 용이하게 하는 기술이다.