삼성전자가 차세대 반도체 양산 공정을 공개했다. 시스템반도체 위탁생산(파운드리)에 최적화된 공정이다.

삼성전자는 14일(현지 시각) 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2019(Samsung Foundry Forum 2019)’를 개최하고 차세대 3나노 GAA(Gate-All-Around) 공정과 새로운 고객 지원 프로그램 SAFE-Cloud를 소개했다고 15일 밝혔다.

GAA는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸고 있는 구조다. 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있어 차세대 반도체에 적극적으로 활용될 전망이다.

이번 포럼에서 삼성전자는 3GAE의 공정 설계 키트(PDK)를 반도체 설계(팹리스) 고객사에 배포했다. PDK는 파운드리 회사의 제조공정에 적합한 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 통해 팹리스 업체는 제품 설계를 쉽게 할 수 있다.

삼성전자의 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 정도 줄일 수 있다. 50%의 소비전력 감소와 35%의 성능 향상 효과가 기대된다.

SAFE™-Cloud 서비스는 아마존웹서비스(AWS), 마이크로소프트(MS) 등과 함께 진행한다. 해당 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 PDK, 자동화 설계 툴(EDA) 등을 이용할 수 있다. 이는 투자 비용 절감 및 반도체 제작 속도 향상에 도움이 될 예정이다.

삼성전자 파운드리 포럼 2019는 미국을 비롯한 세계 5개국에서 진행된다. 미국에서 진행된 이번 포럼에는 고객사·파트너사 800여명이 참가했다. 정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "삼성전자의 기술적 성과와 목표를 고객·파트너사와 공유할 수 있어서 기쁘다"고 말했다.