백운규 산업통상자원부 장관이 반도체 공장을 연이어 방문해 하반기에도 반도체 산업정책을 강력 추진하겠다는 의지를 나타냈다.

백운규 산업통상자원부 장관은 30일 SK하이닉스 이천공장과 삼성전자 평택공장을 연이어 방문해 그간 반도체 산업정책 추진성과와 향후 중점 추진전략을 발표하고, 업계 애로사항을 청취하는 등 업계와의 소통노력을 이어갔다.

 

백 장관의 이번 현장방문은 올 상반기 우리나라 수출의 20% 이상을 담당하고 있는 반도체 업계를 격려하고, 경쟁국 추격에 따른 위협요인 대응방안 등 반도체 산업정책 방향을 논의하기 위해 이뤄졌다.

 

이날 방문에는 SK하이닉스 정태성 사장과 삼성전자 진교영 사장, 산업부 소재부품산업정책관이 함께 했다.
 

반도체 산업은 우리나라 경제에서 차지하는 비중이 날로 높아지고 있으며, 4차 산업혁명의 영향으로 고성능 반도체의 수요가 증가해 중요성이 더욱 커질 것으로 예상되고 있다.

하지만, 최근 중국 반도체 굴기 등 경쟁국의 추격과 함께 메모리반도체 시장가격이 조정상태를 보이고 있어 메모리반도체의 ‘수퍼사이클’이 조기 마감될 수 있다는 전망도 있다. 더구나 메모리를 제외한 시스템반도체 분야는 특허, 설계, 제조 등 모든 경쟁요소가 취약한 상태가 지속되고 있는 상황이다.

이날 백운규 장관은 모두 발언을 통해 대외적 위협요인에 대응하고 우리 반도체산업의 글로벌 경쟁력 유지를 위해 지난 2.8일 발표한 ‘반도체 산업 발전전략’에 따라 정책을 강력히 추진해왔음을 밝혔다.

먼저, 범부처 대규모 ‘차세대 지능형반도체 기술개발사업’ 기획을 완료하고 예비타당성 조사를 추진 중에 있으며, 글로벌 소재·부품·장비기업 육성을 위한 성능평가 대상 품목을 대폭 확대하고, 1차 테스트베드에서 2차 대기업 양산라인으로 이어지는 단계적 성능평가 체계를 마련했음을 언급했다.

백 장관은 또 반도체 전문인력 양성사업을 지속 추진하고 팹리스 기업 지원을 위해 ‘전자부품 융합 얼라이언스’를 출범시켜 수요산업과 반도체산업 간 협력체계를 구축했음도 설명했다.

백 장관은 우리나라의 글로벌 반도체 No.1 지위 달성을 위해 하반기에도 반도체 산업정책을 강력 추진하겠다는 의지를 보이며 앞으로의 반도체 산업정책 3대 중점 추진전략을 밝혔다.

먼저, 미세화 한계에 도달한 DRAM, 낸드 등 기존 메모리반도체를 대체할 수 있는 차세대 메모리소자(device) 및 소재(material) 개발을 지원하고, 4차 산업혁명시대의 새로운 성장동력으로 시스템반도체(SoC)를  육성하여 이를 통해 팹리스(설계, 개발 전문) 및 파운드리(제조 전문) 산업 활성화를 추진하겠다고 밝혔다.

 
다음으로 글로벌 반도체 소재․장비기업의 생산라인 국내 유치 확대를 통해 우리나라의 글로벌 반도체 제조 허브 국가화를 추진할 계획으로, 외국인 투자에 대한 지원 확대 등 투자유치 지원제도를 개편하고 범정부적 차원에서 정주여건 개선, 입지․환경 규제개혁을 추진하며, 우수인력 공급, 첨단기술 개발, 설계·제조 활성화 등 반도체 서플라이 체인 강화를 통한 선순환적 생태계를 구축하겠다고 말했다.

한편 백 장관은 SK하이닉스, 삼성전자가 협력사와의 상생을 위해 추진중인 성능평가 지원, 공동기술 개발, 자금지원, 기술교육 등의 노력을 지속해 줄 것을 당부하면서, 정부에서도 민간의 투자가 적기에 이루어질 수 있도록 관련 애로를 적극적으로 해소해 나갈 것이라고 약속했다.

마지막으로 백 장관은 “4차 산업혁명 시대를 맞아 향후 반도체의 역할이 더욱 중요해질 것이며, 민관이 적극적으로 협력하여 경쟁국의 추격을 따돌리고 글로벌 1위를 유지해 나가자”고 밝혔다.