SK하이닉스가 미국에 차세대 HBM(고대역폭메모리) 생산을 위한 공장을 신규 건설한다. 하이닉스의 이같은 움직임은 최근 폭증하는 HBM 수요에 발맞추고 시장 선두 자리를 지키기 위한 행보로 풀이된다.

4일 SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 38억 7000만 달러(약 5조 2000억원)를 투자해 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 밝혔다.

하이닉스는 지난 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다.

SK하이닉스는 “인디애나 공장에서는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정”이라며, “당사는 이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것”이라고 밝혔다.

이어, "인디애나에 건설하는 생산기지와 R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 덧붙였다.

최근 AI 시대의 개막과 함께 HBM 등 초고성능 메모리 수요가 급증하고 어드밴스드 패키징의 중요성이 매우 커지면서 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해 왔다는게 하이닉스 측의 설명이다.

하이닉스가 인디애나 주를 최종 투자지로 선정한 배경으로는 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 점, 지역 내 풍부한, 반도체 생산 제조 인프라, 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점이 지목된다.

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나 주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나 주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 밝혔다.

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장은 인디애나 주와 퍼듀대의 지원에 감사의 뜻을 전하며 “반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다. 이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.

한편 SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다는 계획이다. 회사가 120조 원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공하고, 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 ‘미니팹’도 건설한다.

(*미니팹:반도체 소재∙부품∙장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설)