[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다. 현재 HBM4를 요구하는 주요 고객으로 엔비디아가 유력하게 거론되는 가운데, 삼성전자가 첫 공급 벤더로 진입한 것으로 풀이된다.

삼성전자는 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 공정 기반 베이스 다이를 적용해 초기 양산부터 수율과 성능을 동시에 확보했다고 설명했다. 

12일 삼성전자는 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며 본격적인 차세대 HBM 시장 선점에 나섰다고 밝혔다. 

삼성전자가 출하한 HBM4는 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s의 메모리 대역폭과 11.7Gbps의 핀 속도를 구현했다. 최대 동작 속도는 13Gbps까지 확장 가능하다. 12단 적층 기준 용량은 36GB으로 향후 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.

이는 기존 고객사가 요구한 11Gbps, 3.0TB/s 수준을 상회하는 성능이다. 특히 HBM3E(9.6Gbps) 대비 핀 속도가 약 22% 향상됐으며 대역폭 역시 대폭 확대됐다.

특히 경쟁사인 SK하이닉스가 공개한 HBM4 스펙과 비교해도 속도·대역폭 측면에서 높은 수준이다. SK하이닉스의 HBM4 제품은 ▲I/O 속도 11.7Gbps ▲2048개 I/O ▲대역폭 2.9TB/s의 사양을 갖췄다.

삼성전자는 올해 HBM 매출이 전년대비 3배 이상 증가할 것으로 전망했다. 이에 업계 최대 수준의 DRAM 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로 HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 확보하고 있다는 입장이다.

또한 오는 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용할 예정이며 AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정이라고 밝혔다.

한편, 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플을 출하할 계획이다. 커스텀 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다.