삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 DS사업부가 올 2분기에 4조 3600억원의 적자를 기록했다. 

다만, 메모리반도체의 재고가 지난 5월 정점을 찍고 감소하기 시작하면서 4조 6000억원의 적자를 기록했던 1분기보다 적자 폭을 줄였다.

삼성전자는 27일 올 2분기에 매출 60조 100억원, 영업이익 6700억원을 기록했다고 밝혔다. 전사 매출은 DS 사업부의 매출 회복에도 불구하고 스마트폰 출하 감소 등으로 전 분기 대비 6% 감소했다. 

영업이익의 경우 스마트폰 출하 감소에 따른 부정적 영향이 있었으나, DS 부문 적자 폭이 축소되고 디스플레이/TV/생활가전 수익성이 개선돼 전 분기 대비 소폭 증가했다. 

연구개발비와 시설투자는 각각 7조 2000억원, 14조 5000억원으로 역대 최대 수치다.

메모리반도체는 DDR5와 HBM(High Bandwidth Memory) 중심으로 AI용 수요 강세에 대응해 D램 출하량이 지난 분기에 예상한 가이던스를 상회하면서 전 분기 대비 실적이 개선됐다.

시스템LSI는 모바일용 부품 수요 회복이 지연되고 고객사 재고 조정으로 실적 개선이 부진했다. 

파운드리는 글로벌 경기 침체로 모바일 등 주요 응용처 수요가 약세를 보인 가운데 라인 가동률이 하락하여 이익이 감소했다. 

삼성전자 관계자는 “2023년 하반기는 글로벌 IT 수요와 업황이 점진적으로 회복될 것으로 기대되는 가운데, 부품 사업 중심으로 상반기 대비 전사 실적 개선이 예상된다”고 전망했다. 

그러면서, “DS부문은 ▲DDR5 ▲LPDDR5x ▲HBM3 등 고부가 제품 판매와 신규 수주를 확대할 방침”이며, “인프라 및 R&D, 패키징에 투자를 지속하고 GAA(Gate-All-Around) 공정 완성도 향상 등으로 중장기 경쟁력을 강화할 계획”이라고 설명했다.  

삼성전자는 향후 메모리는 하반기 시황과 연계된 유연한 공급 운영을 바탕으로 포트폴리오를 고부가가치·고용량 제품 중심으로 최적화한다는 계획이다. 

특히 고성능 서버와 프리미엄 모바일 제품 분야에서 ▲DDR5 ▲LPDDR5x ▲HBM 등 D램 첨단 제품의 비중을 더욱 확대하고 V7, V8 등 낸드 첨단 공정 비중을 확대한다. 메모리의 경우 지난 분기와 유사하게 중장기 공급성 확보를 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자와 첨단공정 수요 대응 목적으로 평택 중심 설비 투자를 진행했다. 또 미래 경쟁력 강화를 위한 R&D 및 후공정 투자도 지속했다.

시스템LSI는 모바일 SoC(System on Chip) 분야에서 플래그십 모델용 제품 성능을 확보하고, 스마트폰 외 신사업 솔루션을 확장하기 위해 고객사와의 협력을 강화할 계획이다. 또 차량용 SoC에서 유럽 OEM 과제 수주에 집중해 응용처 다변화를 지속 추진할 예정이다.

파운드리는 PPA(Power:소비전력, Performance:성능, Area:면적)가 개선된 3나노 및 2나노의 GAA 공정 개발 완성도 향상과 대형 고객사 수주 확대를 노린다. 또 8나노 eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory) 개발 진행 등 레거시(Legacy) 공정 개발을 지속하고 8인치 오토모티브용 기술 개발 등 제품 포트폴리오를 확대할 계획이다. 여기에 첨단공정 수요 대응을 위한 미국 텍사스 테일러 및 평택 공장 중심으로 투자를 진행했다.