한국전기연구원(원장 김호용)은 한국에너지기술평가원의 전력산업융합원천기술개발사업으로 진행된 국책과제를 통해 국내 전력반도체 전문기업인 메이플세미컨덕터(주)와 1200V급 실리콘 카바이드 전력소자 MOSFET(SiC Power MOSFET) 2종을 국내 최초로 개발하는데에 성공했다고 23일 밝혔다.

한국전기연구원(이하 ‘KERI’)은 작년 6월 메이플세미컨덕터(대표 정은식)와 차세대 SiC 전력반도체 기술이전 계약을 맺고 SiC 전력반도체 개발에 힘써 왔다. 이번 상용화 기술개발은 KERI가 보유하고 있는 SiC 전력반도체 핵심기술인 고온·고에너지 이온주입 공정기술, 낮은 접촉저항형성 공정기술, 고품질 질화처리 게이트산화막 형성 및 낮은 누설전류를 위한 패시베이션(passivation) 공정기술 등이 적용되었고, 메이플세미컨덕터(주)의 전력반도체 양산 경험과 공정기술이 접목되어 성공하게 됐다.

KERI는 1999년부터 SiC 전력반도체를 개발하기 시작한 이래 현재 국내외 특허 40여건을 보유한 국내 SiC 전력반도체 기술의 선두주자로, 이번 개발의 핵심 공정을 위한 고온/고에너지 이온주입 장비를 도입하여 모든 핵심공정을 국산화하는 등 기술개발에 박차를 가해왔다.

개발 책임자인 KERI 전력반도체센터 김상철 책임연구원은 “이번 개발은 선진국이 기술이전을 꺼리는 전략 분야에서 순수 국내기술로 미국, 일본에 이은 세계 3번째 상용화 기술개발이며, SiC 전력반도체 분야에서 세계적인 기술수준에 도달하였음을 보여 준다“고 말했다.

SiC 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체보다 효율이 높고 고온에서도 안정적으로 동작해 그린카(xEV)와 신재생에너지용 인버터에 적용 가능한 차세대 전력반도체다.

일부 선진 메이저업체들도 최근에야 기술개발에 성공하여 상품화했을 정도로 설계 및 공정이 매우 어려운 것으로 알려져 있다.
 

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