[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 글로벌 반도체 분석 및 시장 조사업체 테크인사이츠가 엔비디아의 최신 AI 가속기 HGX B200에 SK하이닉스의 HBM3E가 탑재된 것을 확인했다고 밝혔다. 특히 HGX B200에 탑재된 GB100 GPU는 첨단 패키지 기술인 CoWoS-L를 최초 상용화한 사례로 알려졌다.

지난 15일 테크인사이츠는 엔비디아의 HGX B200에 탑재된 GB100 GPU의 구조를 분석한 결과를 발표했다. 

HGX B200은 Blackwell 아키텍처 기반의 AI 및 HPC 워크로드용 서버 플랫폼으로, 8개의 GPU 보드를 포함한다. 각 보드에는 B200 GPU 패키지가 탑재되며, 이 패키지에 SK하이닉스의 HBM3E 메모리가 활용됐다. 

테크인사이츠의 분석에 따르면 HGX B200의 GPU 보드에는 ‘GB100-886N-A1’으로 라벨링된 단일 GPU 패키지가 탑재돼 있다. 

테크인사이츠는 “‘GB100’이라는 명칭은 블랙웰 GPU와 그레이스(Grace) CPU의 조합을 연상시킬 수 있어 다소 혼동될 수 있다”며 “하지만 실제로 GB100은 8개의 HBM3E 모듈과 ‘GB102-A01’로 라벨링 된 GPU 다이 2개로 구성돼 있었다”고 말했다. 

이어 “이들은 실리콘 브리지를 통해 상호 연결돼 있다”며 “각 GPU 다이는 TSMC의 리티클(Reticle) 크기에 해당하며, 두 개가 결합한 전체 패키지는 두 개의 리티클 면적을 차지한다”고 덧붙였다.

즉 GB100은 TSMC의 4nm 공정으로 제작된 두 개의 GPU 다이(GB102-A01)와 8개의 HBM3E가 하나의 패키지로 구성되며, 실리콘 브리지를 통해 상호 연결된다. 여기서 GPU 다이는 실리콘 웨이퍼에서 잘려 나온 개별 칩으로 연산 기능을 수행한다. 

각 GPU 다이는 TSMC 리티클 크기에 해당하며, 패키지 전체는 두 리티클 면적을 차지한다. 이는 엔비디아 CEO 젠슨 황(Jensen Huang)이 다이 크기를 설명하며 사용한 비유인 것으로 알려졌다.  

여기서 SK하이닉스의 최신 HBM3E 메모리가 GB100에 적용된 점이 확인됐다. 각 HBM 패키지는 8개의 메모리 다이를 수직으로 적층한 3D 구조로 설계됐으며, 하단에 컨트롤러 다이를 배치해 데이터 처리 효율성을 높였다.

테크인사이츠는 이번 분석의 핵심이 GB100에 적용된 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)-L 패키징 기술이라고 강조했다.

CoWoS-L는 TSMC의 첨단 기술로, GPU 다이와 HBM 같은 복수 칩을 실리콘 인터포저를 통해 하나의 패키지에 통합한다. 이를 통해 GB100은 기존 ‘호퍼’ 아키텍처 대비 GPU 다이 면적을 약 두 배 확대하며 성능을 향상시켰다.

테크인사이츠는 “CoWoS-L 기술의 본격적인 시장 진입은 고성능 반도체 설계와 제조 방식에 중대한 전환점을 가져올 것”이라고 말했다.