인텔이 반도체 업계에서 최초로 하이(High)-NA EUV(극자외선) 노광장비를 도입한다. 해당 장비는 최고가에 '명품 EUV'로 불리는 제품으로, 인텔의 파운드리 기술력을 강화하는 데 방점을 찍을 것으로 전망된다.

18일(현지 시각) 로이터통신에 따르면 인텔은 미국 오리건주 힐스보로 공장에 ASML의 '하이-NA EUV' 장비를 설치했다고 밝혔다.

EUV는 하이-NA EUV는 기존의 EUV 기술의 한계를 뛰어넘어 초고해상도 패턴을 구현해 반도체 성능과 전력 효율을 상승시킨다는 장점을 가지고 있다. 대당 5000억원에 달하는 최고가 반도체 장비로 기존에 삼성전자, TSMC 등이 보유한 EUV 장비보다 가격이 2배 이상 비쌀뿐더러 그만큼 뛰어난 성능을 보이는 것으로 알려졌다.

현재 글로벌 반도체 기업 중 하이-NA EUV를 보유하고 있는 기업은 인텔 한곳 뿐이다. 지난해 인텔은 ASML로부터 장비를 공급받았고 4개월간의 테스트를 거친 것으로 알려졌다. 인텔은 내년부터 하이-NA 극자외선(EUV) 노광기를 1나노대 공정의 반도체를 생산한다는 계획이다.

마크 필립스 인텔 펠로우 겸 인텔 파운드리 로직 기술 개발 부문 노광, 하드웨어 및 솔루션 담당 디렉터는 이와 관련해 “인텔은 업계 최초로 하이-NA EUV 툴을 확보해 비용 효율적으로 ‘무어의 법칙’을 가져갈 수 있게 됐다”라고 설명했다.

그러면서 “테스트 과정을 통해 수율 향상을 확인했고, 생산 공정 프로세스가 축소된다는 것을 확인했다”면서 “현재 하이-NA EUV를 테스트, 생산 공정에 설치 중이며 2025년부터 양산 라인에 적용할 수 있을 것”이라고 전망했다.

업계에 따르면 삼성전자는 해당 장비를 2027년쯤에나 도입할 것으로 알려졌다. 내년부터 가동에 들어가는 인텔과 비교하면 2년 정도 뒤처지는 셈이다. 이에 따라 전문가들은 1나노대 공정에서 인텔이 삼성전자보다 앞서 2~3년의 기술 격차가 발생할 수도 있다는 전망도 제시된다.