IBM리서치연합이 5나노미터(nm) 칩 제조가 가능한 실리콘 나노시트 트랜지스터 생산공정 개발에 성공했다고 5일 밝혔다. IBM리서치연합은 IBM, 삼성, 글로벌파운드리(GF)가 참여하고 있다. 

공정의 세부사항은 일본 도쿄에서 개최될 예정인 '2017 VLSI 기술 심포지엄 컨퍼런스'에서 발표될 예정이다. 

연구진이 개발에 성공한 이번 공정은 2015년 공개한 200억개의 트랜지스터로 구성된 7nm공정의 후속 기술로 손톱만한 칩에 300억개의 트랜지스터를 설치했다.

현재 상용화된 10nm칩에 비해 동일한 전력 소모시 40%의 성능향상, 동일한 성능 구현시 75%의 전력 소모량 감소 효과가 기대된다. 

이번 공정 기술 개발로 스마트폰 등 모바일 기기 및 IoT(사물인터넷)기기의 배터리 지속시간의 최대 2~3배 가량 늘어날 것으로 보인다. IBM은 머지않은 미래에 5nm 칩을 생산할 수 있을 것으로 기대했다.

연구진은 기존의 핀펫(FinFET) 아키텍처를 대신해 실리콘 나노시트 스택(여러개의 나노층을 쌓아 올린 것)을 사용한 트랜지스터 구조를 만들었다. 

한편, 지난 4월 출시된 삼성전자의 갤럭시S8에 세계 최초로 10nm기술이 적용된 칩이 탑재됐다. 퀄컴의 스냅드래곤835 칩과 삼성전자가 자체개발한 엑시노스8895가 10nm 기술로 생산됐다. 삼성전자는 지난해 10월경 업계 최초로 10nm 기술 칩 양산에 들어갔다. 

대만의 TSMC는 올해 말이나 내년 초쯤 7nm 생산공정으로 초기 생산을 시작할 것으로 알려졌다. TSMC는 애플의 AP(어플리케이션 프로세서)를 독점 위탁생산하고 있다.