[과학을 품다] 수직으로 쌓았더니 플렉서블, 가격↓ 성능↑
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[과학을 품다] 수직으로 쌓았더니 플렉서블, 가격↓ 성능↑
  • 정종오 기자
  • 승인 2020.06.23 12:00
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표준연 연구팀, 수직으로 쌓은 고성능 유기 트랜지스터 개발
임경근 선임연구원이 수직으로 쌓은 고성능 유기 트랜지스터를 선보이고 있다.[사진=KRISS]
임경근 선임연구원이 수직으로 쌓은 고성능 유기 트랜지스터를 선보이고 있다.[사진=KRISS]

수직으로 유기 트랜지스터를 만들었더니 가격은 내려가고 성능은 높아졌다. 기존 수평 방식의 유기 트랜지스터보다 최대 구동 속도 100배 증가, 구동했을 때 흐를 수 있는 최대 전류는 1만 배 증가했다. 구동에 필요한 전압은 3분의 1로 감소했다.

한국표준과학연구원(KRISS, 원장 박현민) 연구팀이 플렉서블 스마트기기의 핵심소자인 유기 트랜지스터를 수직으로 쌓는 새로운 방법을 개발했다. 성능을 높였다. 차세대 스마트기기의 상용화를 앞당기는 데 도움이 될 것으로 전망된다.

KRISS 소재융합측정연구소 임경근 선임연구원, 독일 드레스덴 공대, 홍콩 중문대 공동연구팀은 비싸고 복잡한 공정 없이 간단한 전기화학적 공정만으로 유기 트랜지스터를 수직으로 쌓았다. 기존 수평 방식의 유기 트랜지스터보다 구동 속도 증가, 전류 증가, 전압 감소 등 모든 부분에서 개선을 이뤄 정보처리 성능이 크게 향상됐다.

현재 상용화된 폴더블폰은 디스플레이 한 면만 접었다 펼 수 있게끔 만들어졌다. 디스플레이 전체를 구부리고 늘려 손목시계처럼 차고, 신문지처럼 둘둘 말아 사용하기 위해서는 기기 내 탑재되는 정보처리와 정보저장 반도체 소자, 배터리 등 모든 부품이 유연해야 한다.

그중에서도 정보를 처리하고 저장하는 반도체 소자인 트랜지스터의 성능에 따라 스마트기기의 성능이 결정된다. 상용화를 위해선 값싸고 유연하며 고성능인 트랜지스터의 개발이 필요하다.

트랜지스터의 성능에 따라 디스플레이의 반응 속도, 컴퓨터의 처리 속도, 데이터 저장장치의 용량, 전력 소모량 등이 결정된다. 유기물의 유연한 성질을 이용한 유기 트랜지스터는 가볍고 유연하며, 소재의 가격도 저렴해 대량생산이 가능하다는 장점이 있다. 무기물 반도체보다 구동 전력이 크고 반응시간이 느려 트랜지스터로서 성능이 제한돼왔다.

대다수 기업과 연구소 등은 반도체 소자를 조밀하게 배열하기 위해 포토리소그래피, 관통전극 등 기술을 사용하고 있다. 이 기술은 하나의 소자를 깎고 붙여 만드는 수작업과 같아서 기술 난이도가 클뿐더러 비용이 많이 든다. 무기 반도체에 적용되는 기술로 유기 반도체에는 적용이 어렵다는 단점이 있다.

공동연구팀은 이를 해결하기 위해 산업현장에 사용되는 대표적 전기화학적 공정인 아노다이징(anodizing)에 주목해 전계효과 트랜지스터 (FET)에 응용했다. 기존의 깎아내고 붙이는 방식이 아닌 화학반응을 통해 미세 구조체를 아래에서부터 쌓는 방식을 개발했다.

아노다이징은 수용액에 알루미늄 전극 패턴이 포함된 소자를 담그고 전압을 인가해 전극 표면에 일정한 형상의 산화알루미늄 산화막을 생성하는 공정이다.

이 방식을 사용하면 전기화학적 처리만으로 나노미터(nm) 간격으로 미세하게 배열된 반도체 소자의 전극을 손쉽게 제작할 수 있다. 전자의 흐름을 효과적으로 제어해 수직구조 트랜지스터 성능을 향상할 수 있다.

기존 수평 방식의 유기 트랜지스터보다 최대 구동 속도 100배 증가, 구동 시 흐를 수 있는 최대 전류는 1만 배 증가했다. 반면 구동에 필요한 전압은 3분의 1 감소했다. p형 반도체, n형 반도체, 저분자와 고분자 등 유기 반도체의 종류에 상관없이 균일한 결과를 얻었다.

임경근 선임연구원은 “이번 기술은 궁극적으로 형태가 자유롭게 변하는 디스플레이, 센서, 반도체 소자와 같은 차세대 스마트기기의 개발 시기를 앞당길 것”이라고 강조했다.

연구결과는 재료 분야의 국제 학술지인 어드밴스드 펑셔널 머티리얼스(Advanced Functional Materials, 논문명:Anodization for Simplified Processing and Efficient Charge Transport in Vertical Organic Field-Effect Transistors)에 실렸다.

정종오 기자  science@greened.kr

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