[中 메모리 추격] CXMT, D램 점유율 3년 만에 10배로…글로벌 존재감↑

[녹색경제신문 = 정창현 기자] 중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 글로벌 D램 시장에서 점유율을 빠르게 확대하며 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하고 있다. 여기에 생산능력 확대와 재투자까지 이어지면서 중국 메모리의 시장 영향력이 커질 수 있다는 분석이 나온다.

18일 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 글로벌 D램 시장 점유율은 올해 2분기 10%까지 상승했다. 2023년 1%였던 점유율이 불과 3년 만에 10배 수준으로 커진 셈이다. 당초 시장에서는 CXMT가 2028년께 글로벌 D램 점유율 10%에 도달할 것으로 예상했지만 실제로는 이보다 약 2년 빠르게 목표 수준에 도달했다.

CXMT의 점유율 확대 속도는 최근 더욱 빨라지고 있다. 지난해 2분기 4% 수준이었던 점유율은 올해 1분기 8%로 높아진 데 이어 2분기에는 10%까지 상승했다. 글로벌 D램 시장에서 두 자릿수 점유율을 확보하면서 주요 업체들과의 격차도 빠르게 좁혀지고 있다.

현재 글로벌 D램 시장은 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 상위 3개 업체가 여전히 대부분의 점유율을 차지하고 있다. 올해 2분기 기준 삼성전자는 38~39%, SK하이닉스는 25~26%, 마이크론은 24~25% 수준으로 집계된다. 조사기관에 따라 수치에 차이가 있지만 상위 3개 업체가 아직 CXMT와 상당한 격차를 두고 있는 것은 사실이다.

다만 시장에서는 현재 점유율 자체보다 CXMT가 단기간에 점유율을 확대해온 속도에 주목하고 있다. 중국 업체가 글로벌 D램 시장에서 1% 안팎의 점유율에 머물렀던 시기에서 벗어나 불과 몇 년 만에 두 자릿수 점유율까지 올라온 만큼, 향후 생산능력 확대가 이어질 경우 시장 내 비중이 추가로 높아질 수 있다는 것이다.

CXMT의 점유율 상승에는 범용 D램 시장을 집중적으로 공략한 전략이 있다. 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체들이 AI 서버용 HBM 생산에 역량을 집중하는 사이 상대적으로 범용 D램 공급 여력이 줄었고, CXMT는 이 틈을 활용해 공급량을 늘렸다.

특히 DDR5 가격 상승은 CXMT의 점유율 확대와 수익성 개선에 모두 영향을 미쳤다. 범용 D램을 주력으로 하는 CXMT가 공급 부족으로 가격이 오른 시장에 생산량을 늘리면서 매출을 확대할 수 있는 환경이 조성됐다.

실적 증가 폭도 가파르다. CXMT의 올해 2분기 매출은 146억2400만달러(약 19조5846억원)로 전년 동기 대비 약 10배 증가했고 영업이익도 흑자로 전환했다. 2분기 영업이익률은 82%로 글로벌 주요 메모리 업체 가운데 가장 높은 수준을 기록했다. 

이같은 수익성 개선은 다시 생산능력 확대를 위한 재원으로 활용될 수 있다는 점에서 주목된다. 과거 중국 정부의 지원에 의존했던 생산 확대와 달리, 최근에는 자체 영업과 상장을 통해 확보한 자금을 바탕으로 추가 투자에 나설 수 있는 기반을 갖췄다는 것이다.

특히 CXMT는 올해 7월 중국 증시에 상장하면서 약 14조원 이상의 대규모 자금을 확보했다. 여기에 상반기 잉여현금흐름도 흑자로 전환하면서 자체적으로 투자 재원을 마련할 수 있는 여력이 커졌다.

이를 바탕으로 생산능력 확대에도 속도를 내고 있다. 업계에 따르면 CXMT는 허페이 생산시설 증설과 상하이 신규 공장 건설 등을 추진하면서 생산량을 늘릴 기반을 마련하고 있다. 업계에서는 현재 월 30만장 안팎인 CXMT의 웨이퍼 생산능력이 향후 최대 월 60만장 수준까지 확대될 수 있다는 전망이 나온다.

제품군도 범용 D램에 머물지 않고 있다. CXMT는 서버용 DDR5와 모바일 D램으로 제품 영역을 확대하고 있다. 최근에는 중국 스마트폰 업체 샤오미의 플래그십 제품에 최신 모바일 D램인 LPDDR6를 공급하는 등 고객 기반을 넓히고 있다.

HBM 시장 진입 가능성도 거론된다. 현재까지 CXMT가 HBM 개발 현황을 공식적으로 밝힌 것은 아니지만, 중국 내에서는 CXMT가 HBM3E 양산을 추진하고 있다는 관측이 나오고 있다. 

다만 아직 CXMT가 넘어야 할 기술적 장벽도 분명하다. 특히 중국 메모리 산업의 취약점으로는 극자외선(EUV)·심자외선(DUV) 노광장비와 반도체 설계자동화(EDA) 소프트웨어, 첨단 소재 등이 꼽힌다. 미국의 대중국 수출 규제로 첨단 노광장비와 관련 기술을 확보하는 데 제약이 생기면서 미세공정 고도화에는 한계가 있다. 아울러 HBM 등 고부가 제품과 관련해 수율이나 생산성, 공급 안정성 등은 여전히 검증되지 않아 메모리 3사와는 격차가 있는 상황이다.

업계에서는 현재 CXMT를 글로벌 선두 메모리 업체들과 직접 경쟁할 수 있는 수준으로 평가하기는 어렵다고 보고 있다. 하지만 글로벌 D램 점유율을 3년 만에 10%까지 끌어올린 성장 속도와 대규모 투자를 통한 생산능력 확대를 감안하면, 과거처럼 중국 메모리 업체를 단순히 후발주자로만 치부하기도 어려워졌다는 평가가 나온다.

반도체 업계 관계자는 "CXMT가 현재 삼성전자나 SK하이닉스, 마이크론과 같은 선두 업체들과 경쟁할 수 있는 수준까지 올라왔다고 보기는 어렵다"며 "다만 불과 몇 년 만에 글로벌 점유율을 두 자릿수까지 끌어올렸고 증설과 기술 개발에 계속 투자하고 있는 만큼 이제는 중국 메모리의 성장 속도 자체를 경쟁 변수로 봐야 한다"고 말했다.