[컨콜] 삼성 파운드리, 테일러 팹2 신규 구축 검토…2나노 대형 수주 '가시적 성과' 기대

[녹색경제신문 = 정창현 기자] 삼성전자가 미국 텍사스 테일러 파운드리(반도체 위탁생산) 팹2의 신규 구축을 위한 초기 검토를 진행 중이라고 30일 밝혔다.

강석채 삼성전자 파운드리 사업부 부사장은 컨콜에서 "팹1은 지난주 4월 23일 지역사회 커뮤니티와 장비 반입식을 성공적으로 진행했다"며 "예정대로 2026년 가동 및 2027년 양산 개시 이후 단계적으로 2나노 캐파를 확대해 나갈 계획"이라고 밝혔다. 이어 "팹2는 글로벌 고객 수주 논의와 병행하여 구축을 위한 초기 검토를 진행 중"이라고 설명했다.

수주 측면에서는 메모리·파운드리 턴키(turnkey) 수요가 새 변수로 부상했다. 강 부사장은 "최근 AI 및 데이터센터 수요 확대에 따라 메모리 공급 타이트 현상이 지속되면서 메모리와 파운드리를 턴키로 확보하려는 고객 수요가 뚜렷해지고 있다"고 설명했다. 이어 "다수 AI·HPC(고성능 컴퓨팅) 대형 고객사와 2나노 협력 논의를 활발히 진행 중이며, 일부 고객과는 가까운 시일 내에 가시적 성과를 확보할 것으로 기대한다"고 밝혔다.

4나노 공정 기반 HBM4 베이스 다이도 차별적 경쟁력을 인정받고 있다고 회사는 밝혔다. HBM4 베이스 다이는 HBM(고대역폭메모리)의 최하단에 위치해 D램과 외부를 연결하는 칩으로, 파운드리 공정에서 생산된다. 강 부사장은 "4나노 공정 기반 HBM4 베이스 다이가 우수한 성능으로 차별적 경쟁력을 인정받으며 산업 내 수요를 견인하고 있다"며 "이에 부응하기 위한 공급 확대 방안도 적극 검토하고 있다"고 말했다.

응용 포트폴리오 다변화도 함께 진행되고 있다. 삼성전자는 다수의 미주·중화 지역 오토·로보틱스 고객사들과 2나노 및 4나노 공정 채용을 논의 중이며, 대형 거래선 제품을 기반으로 기술력 검증과 신뢰성 확보를 추진하고 있다. 데이터센터향 실리콘 포토닉스(광신호 기반 반도체 기술) 사업과 관련해서는 광통신 모듈 대형 업체와 2026년 하반기부터 과제 양산을 시작할 예정이라고 밝혔다.

또한 정부 주관 K-온디바이스 사업과 관련해 2025년 11월 무인기향 AI SoC(시스템온칩) 개발 협력 MOU를 체결했고, 국내 팹리스 및 DSP(디자인하우스)와 협력해 적기 양산을 추진 중이라고 설명했다.

성숙 공정 운영 전략에도 변화가 확인됐다. 강 부사장은 "성숙 공정 라인의 경우 기술 장벽이 상대적으로 높은 고부가가치 스페셜티 수요에 역량을 집중하는 한편, 경쟁력이 낮은 공정은 과감히 정리하는 방향으로 운영 전략을 추진하고 있다"고 밝혔다.

구체적으로 공정 마이그레이션이 지속될 것으로 예상되는 CIS(이미지센서)와 DDI(디스플레이 구동 칩) 제품군은 17나노로 캐파를 전환하고, 현재 8인치에서 양산 중인 PMIC(전력관리반도체), DDI, CIS 등은 순차적으로 라인 클로징을 진행할 예정이다. 삼성전자는 신규 스페셜티 제품 개발을 통해 글로벌 고객 비중을 확대해 나가겠다고 덧붙였다.