삼성, 내년 메모리 투자 회복…하이닉스는 M15X 중심 투자 가속

삼성 “올해 축소된 투자 내년 회복”…1b·1c 기반 증설 하이닉스, M15X·용인 팹 일정 앞당겨 HBM 생산 대응 강화

2025-10-30     문슬예 기자
[사진=문슬예

[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 삼성전자와 SK하이닉스가 3분기 컨퍼런스콜을 통해 내년도 메모리 투자 계획을 제시했다. 양사 모두 AI 메모리 수요 확대에 대비해 생산 인프라를 확대하겠다는 방침이다.

30일 2025년 3분기 컨퍼런스 콜에서 삼성전자는 “2026년 AI 수요 확대에 탄력적으로 대응하기 위해 필요 시 전략적으로 투자를 늘릴 계획”이라며 “메모리 부분의 투자는 올해 대비 상당 수준 증가해 전년도 수준을 회복할 것”이라고 말했다. 

이어 “1b·1c 공정 기반 비트 증설에 집중하고 장기 수요 대응을 위한 신규 건설 투자도 일부 집행할 예정”이라고 덧붙였다. 

앞서 삼성전자는 올해 시설투자를 47조4000억원으로 전망하며 전년 대비 6조3000억원 감소할 것으로 예상했다. DS(반도체) 부문 투자 역시 40조9000억원으로 5조4000억원 줄어들 전망이다. 

삼성은 올해 투자 축소 배경에 대해 “메모리는 전년과 유사한 수준의 설비 투자 기조를 유지했지만, 클린룸 등 인프라 투자가 전년 대비 감소했다”며 “파운드리의 경우 2나노·1.4나노 등 차세대 공정 개발 투자 기조는 유지하고 있으나, 기존 라인 전환 및 보수 중심 운영으로 연간 투자는 축소됐다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 최근 청주 M15X 팹에 클린룸을 조기 오픈하고 장비 반입을 시작하며 생산능력(Capacity) 증설에 보다 직접적인 속도를 내고 있다.

SK하이닉스는 “내년부터 HBM 생산 증가에 기여할 수 있도록 램프업을 최대한 빠르게 진행 중”이라며 “HBM 수요 확대 속도가 예상보다 빠르다고 판단해 지난 2023년 말 M15X 신규 투자를 결정했다”고 말했다.

이어 “내년 투자는 올해 대비 상당한 규모로 증액될 것”이라고 덧붙였다.

또한 SK하이닉스는 용인 1기 팹도 공정 일정을 앞당길 수 있다고 언급했다. M15X와 용인 팹을 잇는 생산 인프라 구축을 통해 AI 메모리 수요 증가에 유연하게 대응한다는 방침이다. 

한편, 글로벌 시장조사업체 테크인사이츠에 따르면 삼성전자는 지난해 반도체 R&D 지출을 95억 달러로 전년 대비 71% 늘리며 증가율 1위를 기록했다. 지출 규모는 세계 3위였다. 

반면 SK하이닉스는 지난해 반도체 R&D 지출이 33억 달러로 전년 대비 33% 증가했지만, 매출 대비 투자 비중은 6.9%로 상위 20개사 중 가장 낮았다. 지출 규모는 세계 10위를 기록했다.