"이번에도 하이닉스가 빨랐다"...SK하이닉스 5세대 HBM ‘12단 HBM3E’ 양산 돌입, 연내 공급
5세대 HBM ‘12단 적층 HBM3E’ 양산 돌입, 연내 공급 8단 동일한 두께로 용량 늘리고, 휨 발열현상도 개선
[녹색경제신문 = 조아라 기자]
SK하이닉스가 세계 최초로 5세대 HBM(고대역폭메모리)인 12단 HBM3E 양산하고 연내에 고객사에 공급한다. 그간 삼성전자에서 12단 제품을 먼저 양산할 것이라는 보도가 일부 언론을 통해 수차례 나왔지만 큰이변없이 SK하이닉스가 먼저 제품을 양산하게 됐다. 이번 양산은 하이닉스가 HBM 시장에서 선두자리를 공고히 하는데 기여할 것으로 보인다.
26일 SK하이닉스가 현존 HBM 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 밝혔다.
SK하이닉스 김주선 사장(AI Infra담당)은 “당사는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며, “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 ‘글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더(Provider)’로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 이후 12단 적층 HBM3E 양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정으로, 지난 3월 SK하이닉스가 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한 지 6개월 만이다.
SK하이닉스는 “당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한 데 이어 HBM 5세대(HBM3E)까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해 온 유일한 기업”이라며 “높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다”고 강조했다.
HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다는 것이 SK하이닉스의 설명이다.
하이닉스 설명에 따르면 HBM3E 12단 제품은 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다.
예를 들어 이번 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 LLM(거대언어모델)인 ‘라마 3 70B’를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있다.
라마 3(Llama 3)는 지난 2024년 4월 메타가 공개한 오픈소스 LLM으로 8B(Billion), 70B, 400B 총 3가지 사이즈가 있다.
하이닉스는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV기술을 활용해 수직으로 적층했다.
여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 휨 현상이나 발열같은 구조적 문제도 해결했다. 회사는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.