정부와 삼성전자, SK하이닉스 등 업체가 손잡고 저전력, 초경량, 초고속 등 3대 유망 반도체기술 개발에 4600여억원을 투자한다.

산업부는 30일 한국반도체산업협회에서 시스템반도체 경쟁력 강화 간담회를 개최하고 이같이 밝혔다.

산업부는 4차 산업혁명의 도래로 기술(공급)ㆍ시장(수요)ㆍ생태계 측면에서 반도체 산업의 경쟁요인이 급속히 변화함에 따라,시스템반도체 산업 선도국으로 도약하기 위해 저전력ㆍ초경량ㆍ초고속 반도체 설계기술 확보, 반도체 수요ㆍ공급 협력, 반도체 설계ㆍ생산 컨소시엄 구성 등을 위한 정책과제를 제시했다.

구체적으로 저전력 탄화규소(SiC) 파워반도체에 2023년까지 총 837억원을, 초경량을 위한 센서고도화를 위해서는 2021년까지 1326억원을, 초고속을 위해선 메모리 시스템 통합 설계기술등에 올해에만 47억원을 투입한다.

차량용 반도체 석사과정 신설 등을 통해 시스템 반도체 개발 전문인력을 4년간 2880명 양성할 계획이다. 지능형 반도체와 내장형 소프트웨어(임베디드SW) 등의 인력에 올해에만 130억원을 투자할 예정이다.

소재 공정 경쟁력 강화를 위해서 정부와 기업이 1대1 공동 투자로 차세대 반도체 소재 및 공정 원천기술 개발을 위해 3건의 양해각서를 체결했으며 올해에만 미래반도체소자 기술개발, 친환경 공정가스 개발 등에 258억원을 투자한다.

증가하는 낸드 수요 대응을 위해 민간 주도로 낸드기술 확보 및 적기 투자가 이행될 수 있도록 정부합동 투자 지원반을 운영한다.

신수요 신시장 창출을 위한 협업 프로젝트를 추진한다.  사물인터넷 플랫폼 확산 및 자동차 가전 헬스케어 수요창출을 위한 정책을 적극적으로 벌여나가겠다는 것이다.

또 다품종 소량생산 수요대응을 위해 디자인하우스를 중심으로 설계 생산기업 컨소시엄을 구성했으며 반도체 설계기업 성장의 연결고리를 강화위해 반도체 설계 공용랩 구축과 2000억원규모의 반도체펀드, 인수합병 지원 등을 적극 벌여나갈 계획이다.

SK하이닉스 박성욱 대표는“정부․기업․학계가 손을 잡은 이번 양해각서(MOU)는 국내 시스템반도체 업계가 상호 협력하는 연결고리를 만들어 주는 의미가 있다."며“메모리반도체에 이어 시스템반도체도 한국 경제의 주춧돌이 되기를 희망한다.”라고 환영했다.

삼성전자 김기남 사장은 “우리나라 반도체산업이 지속적인 경쟁력을 확보해 나갈 수 있도록 팹리스 및 디자인하우스 등과 협력해 나갈 계획이다.”라고 말했다.