유진투자증권은 삼성전자의 평택 극자외선(EUV) 기반 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 투자에 대해 “기술만큼 중요한 것은 고객 포트폴리오를 안정적으로 확보하는 전략”이라고 분석했다. 

이승우 연구원은 22일 보고서에서 “삼성전자는 전날 평택 2기 라인인 P2와 V2에 20~30K 규모의 파운드리 라인 투자를 결정했다고 밝혔는데 총 투자 규모는 8~9조원 수준으로 예상한다”면서 “주로 EUV 5나노 이하 공정이 적용될 예정이며 양산은 내년 하반기 이후에 가능할 전망”이라고 밝혔다.

이 연구원은 “올해 연말까지 삼성전자의 12인치 비메모리 캐파(생산규모)는 265K로 추정되고, 이중 EUV 캐파는 약 30K 수준으로 예상된다”며 “내년 하반기 P2+V2 라인이 가동되면 EUV 캐파는 50~60K까지 늘어나게 되는 셈”이라고 설명했다.

현재 가동 중인 삼성전자의 12인치 시스템반도체 라인은 S1, S2, S3, S4와 V1이다.

경기도 기흥 사업장은 S1라인 캐파가 월 100K이며, 60나노대부터 10나노까지 EUV를 제외한 주요 공정을 담당하며 삼성전자 시스템반도체의 핵심 라인 역할을 하고 있다.

미국 오스틴 사업장은 S2라인이 월 100K의 캐파를 갖추고 있다. 주요 공정은 14나노와 28나노이다.

경기도 화성 사업장은 S3라인이 20K의 캐파를 갖추고 8나노와 7/6나노 공정이 적용된다. EUV 전용라인인 V1은 올해 2월부터 7나노, 하반기부터 5나노 양산을 시작한다. 올해 연말까지 20K의 캐파를 갖출 예정이다.

S4는 과거 DRAM 11라인에서 이미지센서 전용라인으로 개조됐다. 연말까지 25K의 캐파가 구축될 예정이다.

이 연구원은 “EUV 기반의 초미세 공정에서 삼성전자는 TSMC와 막상막하 경쟁을 할 정도로 기술적인 면에선 경쟁력을 갖추고 있는 것으로 평가된다”면서 “그러나 고객 포트폴리오와 규모 면에서는 격차가 작지 않다”고 진단했다.

올해 말 기준 TSMC의 7나노 이하 캐파는 월 140K로 30K의 삼성을 압도한다.

이 연구원은 “삼성이 발표한 대로 2030년까지 시스템반도체 분야에서도 1위에 올라서기 위해선 퀄컴·엔비디아 같은 기존 고객들로부터 어떻게 수주 비중을 더 늘리고 애플·자일링스와 같은 과거의 핵심 고객들을 어떻게 다시 파운드리 고객으로 끌어올 것인지, AMD나 미디어텍 등과 같은 신규 잠재 고객을 어떻게 유치할 것인지에 대한 주도면밀하고 중장기적인 전략 수립이 중요해 보인다”고 분석했다.

한편, 삼성전자는 전날 경기도 화성에 10조원을 투자, 5나노 '극자외선(EUV) 파운드리 라인'을 구축한다고 발표했다. 늘어나는 첨단 시스템반도체 수요에 대비하고 '2030년 시스템반도체 1위' 목표 달성에 속도를 높이기 위한 전략 투자다.

이재용 삼성전자 부회장은 “어려운 때일수록 미래 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다.

평택의 EUV 파운드리에서는 5나노 이하 초미세 공정 제품이 생산될 계획이다. 삼성전자는 EUV 공정을 활용해 5나노 공정 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력으로 생산한다는 방침이다.