삼성전자, EUV 노광장비용 포토레지스트 개발 스타트업에 투자...SK하이닉스·TSMC·인텔 공동 참여
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삼성전자, EUV 노광장비용 포토레지스트 개발 스타트업에 투자...SK하이닉스·TSMC·인텔 공동 참여
  • 박근우 기자
  • 승인 2020.02.21 15:05
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- EUV 기반 7나노 양산 이어 미국 스타트업 '인프리아'에 추가 투자
- "인프리아 포토레지스트는 현재 표준 크기 보다 5분의 1 작은 분자 사용"..."작고 정확한 패턴 형성"

삼성전자가 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체로의 도약을 위해 극자외선(EUV, Extreme Ultra Violet) 노광장비를 앞세운 초미세 공정기술 강화에 나섰다. 

삼성전자는 비메모리(시스템) 반도체 부문에 2030년까지 133조원을 투자하겠다고 밝히고, 비메모리 중에서도 파운드리에서 1위 대만 TSMC를 추격하고 있다.

EUV는 파운드리 업체에서 핵심 기술이다.

21일 미국의 경제매체 포틀랜드비즈니스저널에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스, TSMC, 인텔 등은 EUV 노광장비용 고해상도 금속산화물 포토레지스트를 개발하는 인프리아에 3천300만달러(약 398억원)를 추가로 투자했다.

인프리아는 미국 오리건주 코밸리스에 위치한 반도체 소재 분야 스타트업 기업으로 2007년에 설립됐다. 

인프리아가 개발한 금속산화물 포토레지스트는 현재 EUV 노광장비에서 사용되는 화학증폭형 포토레지스트보다 더욱 미세한 공정기술을 확보할 수 있는 방안으로 주목받고 있다.

삼성전자 화성 EUV 생산공장

포틀랜드비즈니스저널은 "이번 투자에는 삼성전자 벤처투자, SK하이닉스, TSMC, 어플라이드 벤처스, 인텔 등이 참여했다"며 "인프리아의 포토레지스트는 현재 표준 크기보다 5분의 1 작은 분자를 사용해 칩셋 제조공정에서 보다 작고 정확한 패턴을 형성할 수 있다"고 보도했다.

앞서 이재용 삼성전자 부회장은 20일 경기 화성에 위치한 EUV 생산라인(V1)을 방문해 "지난해 우리는 이 자리에 시스템 반도체(파운드리 포함) 세계 1등의 비전을 심었고, 오늘은 긴 여정의 첫 단추를 꿰었다"며 "이곳에서 만드는 작은 반도체에 인류사회 공헌이라는 꿈이 담길 수 있도록 도전을 멈추지 말자"고 밝혔다.

삼성전자의 V1 라인은 EUV를 기반으로 한 7나노미터(nm=10억분의 1미터) 공정부터 GAA(Gate All Around) 구조를 적용한 3나노미터 이하 제품을 주력으로 생산할 계획이다.

삼성전자는 지난해 4월 업계 최초로 EUV를 활용한 7나노미터 공정 기반의 시스템온칩 생산에 들어갔다. 

최근에는 최첨단 공정 기술을 바탕으로 퀄컴, 바이두 등 대형 팹리스(Fabless·반도체 회로 설계) 기업들과 협력을 추진 중이다. 

삼성전자는 모바일부터 HPC(High Performance Computing) 분야까지 파운드리 사업 영역을 확대해 나가고 있다.

삼성전자는 5나노미터 공정의 제품 설계를 완료한데 이어 올해 상반기 중에 4나노미터 공정 개발을 완료하고, 하반기에는 4나노미터 제품 설계도 마친다는 계획이다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 지난해 4분기 파운드리 시장에서 대만 TSMC(52.75)에 이어 17.8%의 시장점유율로 세계 2위다.

또한 지난 18일(현지 시각) 로이터통신은 복수의 소식통을 인용해 삼성전자가 최신 5나노(㎚·1나노미터는 10억분의 1미터) 공정으로 퀄컴의 최신 5G 모뎀칩인 ‘스냅드래곤 X60’을 일부 생산하게 될 것이라고 전했다.

이 매체는 또 TSMC 역시 5나노 공정으로 이 모뎀칩을 생산하게 될 것이라고 덧붙였다. 이날 퀄컴은 당장 1분기부터 X60 시제품을 생산할 것이라고 밝혔다.

박근우 기자  lycaon@greened.kr

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